О компании

CREE® - мировой лидер в области разработки и производства технологий и материалов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галия (GaN). Компания основанная в 1987 году как производитель полупроводниковых материалов на основе карбида кремния, начала активные исследования в области разработки светоизлучающих структур нитридов галлия на SiC подложках в начале 90-х годов прошлого века. С 2005 года, две компании - Nichia Corporation и CREE обеспечивают более 80% мирового производства кристаллов синего и зеленого цвета свечения. При этом CREE традиционно использует технологию GaN эпитаксии на SiC подложках, Nichia Corporation – на сапфире. Технология InGaN на SiC обладает рядом принципиальных преимуществ перед InGaN на сапфире. Во-первых, карбид кремния обладает на порядок более высокой теплопроводностью (3,8 Вт/см•К у SiC против 0,3 Вт/см•К у сапфира). Это позволяет упростить решения проблемы отвода тепла от p-n - перехода, являющейся ключевой для кристаллов с токами более 100 мА. Во-вторых, кристаллическая решетка 6H-SiC обладает лучшим, по сравнению с сапфиром, сродством с GaN, что позволяет достичь снижения концентрации дефектов GaN структур и повысить квантовый выход кристаллов светодиодов. 

Компания XLight® - российский производитель высококачественных изделий для полупроводникового освещения на основе мощных светодиодных ламп CREE. Линейка продукции включает в себя изделия на базе полупроводниковых светодиодных ламп CREE XLamp™: светодиодные светильники для архитекутрного освещения, декоративной архитектурной подсветки, внутреннего и наружного светодиодного освещения, кластеры на основе мощных сверхъярких светодиодов, а так же драйверы и модули управления к ним. В изделиях компании XLight светодиодные лампы смонтированы на печатных платах с алюминиевым основанием, которые обеспечивают низкое тепловое сопротивление между основанием излучателя и теплоотводом, что значительно упрощает обеспечение теплового режима и увеличивает надёжность изделия. Источники света XLight предусматривают совместное использование их со стандартной вторичной оптикой всех основных производителей, таких как Ledil, Carclo и т.д. В марте 2008 года компания XLight получила официальный статус CREE Solution Provider. Это подтверждает соответствие качества продукции и услуг XLight высоким стандартам компании CREE.

 Новости
24.05.2011
Новый светодиод Cree XM-L обеспечивает выдающуюся производительность одного светодиодного чипа
Светодиод Cree XM-L обеспечивает выдающуюся производительность от одного светодиодного чипа 1000 лм при 100 лм / Вт при токе 3A.
2.09.2010
Светодиодные кластеры XLight® в комплексе для психо-физиологического тестирования
Реализован проект по замене галогенных ламп на светодиодные кластеры XLight® в комплексе для психо-физиологического тестирования EYESCREEN компании Айскрин. Приборы применяются в ГУВД г. Москвы для работы с персоналом.
19.07.2010
Новый драйвер MPS для мощных белых светодиодов
Высоковольтный понижающий DC/DC-преобразователь MP4688 от компании MPS предназначен для питания мощных белых светодиодов (WLED) постоянным током до 1,5 A.

6.07.2010
TDK-Lambda представила на рынок серию 12-ваттных LED источников в исполнении IP66
TDK-Lambda разработала и представила на рынок серию источников, направленных на светодиодные применения. Обладая высокой надежностью и отвечая стандарту IP66, они превосходно подходят как для внутреннего, так и для наружнего монтажа систем питания LED светильников, цифровых вывесок и промышленных устройств.
19.04.2010
Рубеж в 200 лм/Вт взят компанией Cree
Компания Cree объявила о достижении рекордного значения световой отдачи белого светодиода — 208 лм/Вт. Преодоление традиционного рубежа в 200 лм/Вт открыло новый этап развития светодиодной индустрии.